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SIEMENS遵义代理商

更新时间:2023-05-29 09:00:00
价格:¥670/件
品牌:西门子
型号:西门子模块
产地:德国
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详细介绍

SIEMENS遵义代理商

西门子PLC的SM322数字量输出模块

(1)DO模板的功能

数字量输出模块SM322将S7-300内部信号电平转换成过程所要求的外部信号电平,可直接用于驱动电磁阀、接触器、小型电动机、灯和电动机启动器等。

(2)DO模板的类型

按负载回路使用的电源不同分为:

直流输出模块、交流输出模块和交直流两用输出模块。

按输出开关器件的种类不同分为:

晶体管输出方式、晶闸管输出方式和继电器触点输出方式。

(3)DI模板的特点

晶体管输出模块只能带直流负载,属于直流输出模块;

晶闸管输出方式属于交流输出模块;

继电器触点输出方式的模块属于交直流两用输出模块。

 

PLC程序算法详解

1、 开关量是我们学习plc接触到的概念,仅有两个值,0或1(ON或OFF)。它是常用的控制,对它进行控制是PLC的优势,也是PLC基本的应用。

开关量控制的目的是,根据开关量的当前输入组合与历史的输入顺序,使PLC产生相应的开关量输出,以使系统能按一定的顺序工作。所以,有时也称其为顺序控制。

而顺序控制又分为手动、半自动或自动。而采用的控制原则有分散、集中与混合控制三种。

2、寄存器是我们plc的重要组成部分,我们习惯称其为变量,用来存储用户数据。根据其应用的范围的不同可以分为全局变量和局部变量。对于全部变量我们并不陌生,很多初学者都知道如何去使用它,而对于局部变量,往往是初学者忽略的地方;局部变量是在我们建立的子程序中使用的,如果我们去做一个运算plc是什么,可能结果才是我们想要的,一些中间的计算结果,我们并不打算保留下来,那么就可以把这些中间结果赋值给局部变量,但是需要注意的是局部变量不能用来保存数据(请允许我这么说),如果你使用了局部变量,那么办法是,上一步的结算结果,下一步就用上。

3、 模拟量是指一些连续变化的物理量,如电压、电流、压力、速度、流量等。PLC是由继电控制引入微处理技术后发展而来的,可方便及可靠地用于开关量控制。由于模拟量可转换成数字量,数字量只是多位的开关量,故经转换后的模拟量,PLC也*可以可靠的进行处理控制。

由于连续的生产过程常有模拟量,所以模拟量控制有时也称过程控制plc是什么。

模拟量多是非电量,而PLC只能处理数字量、电量。所有要实现它们之间的转换要有传感器,把模拟量转换成数电量。如果这一电量不是标准的,还要经过变送器,把非标准的电量变成标准的电信号,如4—20mA、1—5V、0—10V等等。

同时还要有模拟量输入单元(A/D),把这些标准的电信号变换成数字信号;模拟量输出单元(D/A),以把PLC处理后的数字量变换成模拟量——标准的电信号


变频器功率开关器件的种类


一、GTO

门极可关断(GTO)晶闸管是目前能承受电压较高和流过电流较大的全控型(亦称自关断)器件。它能由门极控制导通和关断,具有电流密度大、管压降低、导通损耗小、dv/dt耐量高等**优点,目前已达6kV/6kA的生产水平,大功率应用。但是GTO有不足之处,那就是门极为电流控制,驱动电路复杂,驱动功率大(关断增益β=3~5);关断过程中内部成百甚至上千个GTO元胞不均匀性引起阴极电流收缩(挤流)效应,**限制dv/dt。为此需要缓冲电路(亦称吸收电路),而缓冲电路既增大体积、重量、成本,又徒然增加损耗。另外,“拖尾"电流使关断损耗大,因而开关频率低。

二、IGBT

绝缘栅双极晶体管(IGBT),它是一种复合型全控器件,具有MOSFET(输入阻抗高、开关速度快)和GTR(耐压高、电流密度大)二者的优点。栅极为电压控制,驱动功率小;开关损耗小,工作频率高;没有二次击穿,不需缓冲电路;是目前中等功率电力电子装置中的主流器件。除低压IGBT(1700V/1200A)外,已开发出高压IGBT,可达3.3kV/1.2kA或4.5kV/0.9kA的水平。IGBT的不足之处是,高压IGBT内阻大,因而导通损耗大;低压IGBT用于高压需多个串联。

二、IGCT和SGCT

在GTO的基础上,近年开发出一种门极换流晶闸管(GCT),它采用了一些新技术,如:穿透型阳极,使电荷存储时间和拖尾电流减小,制约了二次击穿,可无缓冲器运行;加N缓冲层,使硅片厚度以及通态损耗和开关损耗减少;特殊的环状门极,使器件开通时间缩短且串、并联容易。因此,GCT除有GTO高电压、大电流、低导通压降的优点,又改善了其开通和关断性能,使工作频率有所提高。

为了尽快(例如1μs内)将器件关断,要求在门极PN不致击穿的-20V下能获得快于4000A/μs的变化率,以使阳极电流全部经门极极快泄流(即关断增益为1),**采用低电感触发电路(例如门极电路较大电?lt;5nH)。为此,将这种门极电路配以MOSFET强驱动与GCT功率组件集成在一起,构成集成门极换流晶闸管(IGCT)。其改进形式之一则称为对称门极换流晶闸管(SGCT)。两者具有相似的特性。IGCT还可将续流二极管做在同一芯片上集成逆导型,可使装置中器件数量减少。

表1为GTO、IGCT、IGBT一些能数的比较。可以看出,在1kHz以下,IGCT有一定优点;在较高工作频率下,高压IGBT更具优势。

表1 GTO、IGCT、IGBT参数比较

器件GTOIGCTIGBT
通态压降/V3.21.93.4
门极驱动功率/W80151.5
存储时间/us201∽3.40.9
尾部电流时间/us1500.70.15
工作频率/kHz0.5120

除上述三种器件外,现在还在开发一些新器件,例如新型大功率IGBT模块——“注入增强栅极晶体管"(IEGT),它兼有IGBT和GTO二者优点,即开关特性相当于IGBT,工作频率高,栅极驱动功率小(比GTO小二个数量级);而由于电子发射区注入增强,使器件的饱和压降进一步减小;功率相同时,缓冲电路的容量为GTO的1/10,安全工作区宽。现已有4.5kV/1kA的器件,可望在下获得应用

变频器输出滤波器的模糊优化设计

 一、引言

变频器-电机系统应用中存在一些:电机中的谐波电流过大,导致电机发热量增加,缩短了电机的寿命;在采用长线电缆的场合,由于电缆终端电压反射而造成电机端过电压,对电机的绝缘性能造成危害,严重时导致电机绝缘击穿,电缆爆裂。实际应用过程中常在变频器输出端采用滤波器来消除或减轻以上。正弦波滤波器的结构如图1所示。适当选择滤波器参数可以将变频器输出电压滤成近似正弦波形,电压总谐波失真度小于5%,可以采用长达几千米的电缆而不存在由于电压反射而造成的电机端过电压现象。滤波器的设计过程包括工程设计和优化设计。在工程设计中要考虑到变频器电机系统对滤波器参数的限制,使得滤波器的加入对系统的影响较小,从而保证系统安全工作,所以滤波器参数满足变频器-电机系统的限制条件是第1位的,这时得到的参数往往不是*的,需要优化过程来综合考虑多种因素的影响。


变频器输出滤波器的优化设计过程中,一般将变频器-电机系统对滤波器参数的限制作为优化模型的约束条件,这些约束条件包括滤波器上的基波压降、滤波器电容支路中高频谐波电流、滤波器电容支路的基波电流以及截止频率等指标的合理范围。根据以上约束可以确定滤波电感、滤波电容的约束条件。一般的工程设计中基波压降大约在5%,高频谐波电流大约在变频器额定电流的10%至20%,电容支路的基波电流大约在变频器额定电流的10%以下。但是在普通优化过程中,认为以上的约束是硬性的,经过优化后,优化参数的取值往往在约束条件的边界上。由于以上的约束条件是从变频器安全工作的角度得到的,所以元件参数在约束条件的边界上取值时,系统工作在安全区和危险工作区的边界,这时虽然某些目标达到了*,但是系统的安全性能下降了,当元件参数发生变化时,系统可能会工作在危险工作区而导致变频器系统产生保护动作甚至导致变频器系统的损坏。

在本文中,采用模糊集的方法描述约束条件的模糊性,并采用对称模糊优化的方法对所建立的多目标函数进行优化。对称模糊优化过程实际是在寻找对模糊约束集和模糊目标集的较大满意度,从而兼顾了目标的*和对模糊约束集的较大隶属度。优化后的参数以满足了模糊约束集,所以没有出现在约束集的边界上,系统的安全性能得以提高,同时也增加了元件参数的容差范围


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